продукти

Нови продукти

Всички нови продукти

BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение

BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение за общо предназначение и комутационни приложенияBC846W 65V, 100mA NPN транзистори с общо предназначение в пластмасови опаковки за повърхностно монтирани устройства (SMD), Биполярният транзистор NPN е предназначен за приложения на усилватели с общо предназначение. Той се помещава в пакета SOT-323/SC-70, който е предназначен за приложения за повърхностен монтаж с ниска мощност.

Изпратете запитване Изтегляне на PDF

Описание на продукта
Спецификации
Изтегли

●BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение - горен диод

BC846W NPN силициев епитаксиален планарен транзистор за общо предназначение и превключващи приложения

BC846W 65V, 100mA NPN транзистори с общо предназначение в пластмасови опаковки за повърхностно монтирани устройства (SMD). Биполярният транзистор NPN е предназначен за приложения на усилватели с общо предназначение. Той се помещава в пакета SOT-323/SC-70, който е предназначен за приложения за повърхностен монтаж с ниска мощност.

BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Въведение

Максималното базово напрежение на емитера на този транзистор с биполярно съединение е 6 V. Максималната му разсейвана мощност е 200 mW. Този продукт ще бъде изпратен в опаковка с лента и макара за бърз монтаж и безопасна доставка. Този биполярен транзистор има минимална работна температура от -55 °C и максимална 150 °C. Той има максимално напрежение на емитера на колектора от 65 V и максимално напрежение на емитера от 6V.

●Характеристики на силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение BC846W NPN

* Транзистори с общо предназначение

* SMD пластмасови опаковки

* Два различни избора на усилване

* Високо усилване на тока

* Ниско напрежение на насищане колектор-емитер

* Нисък шум между 30Hz и 15KHz

* Допълнителен тип: BC856W

●BC846W NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение

* ESD защита

* Защита на линията за данни

* Логика на управление

* за приложения с общо предназначение и превключване

●BC846W NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Квалификация, време за доставка, условия за доставка

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Наличен обикновен диоден диоден токоизправител M7;

* Условия на работа, FCA или FOB

●BC846W NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Контури и външни размери

●BC846W NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Електрически характеристики

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25 OC)

Параметър		символ	Стойност	Мерна единица
Базово напрежение на колектора	BC846W		80
	BC847W BC848W	VCBO	50 30	V
	BC849W		30
	BC850W		50
Колекторно емитерно напрежение	BC846W		65
	BC847W BC848W	VCEO	45 30	V
	BC849W		30
	BC850W		45
Базово напрежение на емитера	BC846W		6
	BC847W BC848W	VEBO	6 5	V
	BC849W		5
	BC850W		5
Колекторен ток		интегрална схема	100	mA
Пиков колекторен ток		ICM	200	mA
Общо разсейване на мощността		Ptot	200	mW
Температура на свързване		Tj	150	OC
Температурен диапазон на съхранение		Tstg	- 55 до + 150	OC

BC846W...BC850W
Характеристики при Ta = 25 OC

Параметър		символ	Мин.	Макс.	Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 5 V, IC= 2 mA	BC846AW~BC850AW BC846BW~BC850BW BC846CW~BC850CW	hFE hFE hFE	110 200 420	220 450 800	- - -
Базово напрежение на колектора при IC= 10 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCBO	80 50 30 30 50	- - - - -	V
Колекторно емитерно напрежение при IC= 10 mA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCEO	65 45 30 30 45	- - - - -	V
Базово напрежение на емитера при IE= 1 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VEBO	6 6 5 5 5	- - - - -	V
Ток на прекъсване на базата на колектора при VCB = 30 V		ICBO	-	15	nA
Изключителен ток на базата на емитера при VEB= 5 V		IEBO	-	100	nA
Напрежение за насищане на емитера на колектора при IC= 10 mA, IB= 0,5 mA IC= 100 mA, IB= 5 mA		VCE (сат)	- -	0.25 0.6	V
Базово напрежение на емитера при VCE= 5 V, IC= 2 mA VCE= 5 V, IC= 10 mA		VBE	0.58 -	0.7 0.77	V
Честота на прехода при VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz		fT	100	-	MHz
Изходен капацитет на колектора при VCB= 10 V, IE= 0, f = 1 MHz		Коб	-	4.5	pF

●BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение

BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение - горен диод

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH

Горещи маркери: BC846W NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение, производители, доставчици, купуване, фабрика, на склад, насипно състояние, безплатна проба, марки, Китай, произведени в Китай, цена, ценова листа, оферта, REACH, ROHS, качество, издръжлив, напреднал

Продуктов етикет

Изпратете запитване

Моля, не се колебайте да изпратите вашето запитване във формата по-долу. Ще ви отговорим до 24 часа.