BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение

●BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение -- Топдиод

BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение 30V, 100mA NPN транзистори с общо предназначение в пластмасови опаковки за повърхностно монтирани устройства (SMD).

●BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Въведение

BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор за приложения за превключване и усилватели Като допълнителни типове се препоръчва PNP транзисторите BC859

●Характеристики на силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение BC849 NPN

* Нисък ток

* Ниско напрежение

* SMD пластмасови опаковки

* Два различни избора на усилване

* Високо усилване на тока

* Ниско напрежение на насищане колектор-емитер

* Нисък шум между 30Hz и 15KHz

* Допълнителни типове: BC859 (PNP)

●BC849 NPN Силициеви епитаксиални транзисторни приложения с общо предназначение

* Превключване и усилване с общо предназначение

* За входни етапи на AF и приложения за драйвери

* Обработка на сигнала

* Адаптери

* Приложение за осветление

●BC849 NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Квалификация，Доставка, доставка и условия

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Наличен обикновен диод BC849;

* Условия на работа, FCA или FOB

●BC849 NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Контури и външни размери

●BC849 NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение Електрически характеристики

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25 OC)

Характеристики при Ta = 25 OC

Параметър																															символ					Мин.			Тип.		Макс.					Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 5 V, IC= 2 mA																				Група за усилване на тока А B C											hFE hFE hFE					110 200 420			- - -		220 450 800					- - -
Ток на прекъсване на базата на колектора при VCB = 30 V																															ICBO					-			-		15					nA
Напрежение на пробив на колекторната база при IC= 100 µA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO					80 50 30			- - -		- - -					V V V
Напрежение на пробив на колекторния емитер при IC= 2 mA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO					65 45 30			- - -		- - -					V V V
Напрежение на пробив на колекторния емитер при IC= 100 µA																				BC846, BC847 BC848, BC849, BC850											V(BR)EBOV(BR)EBO					6 5			- -		- -					V V
Напрежение за насищане на емитера на колектора при IC= 10 mA, IB= 0,5 mA при IC= 100 mA, IB= 5 mA																															VCEsatVCEsat					- -			- -		250 600					mV mV
Базов емитер на напрежение при VCE= 5 V, IC= 2 mA при VCE= 5 V, IC= 10 mA																															VBE(включено)VBE(включено)					580 -			- -		700 720					mV mV
Честота на прехода при VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz																															fT					-			300		-					MHz
Изходен капацитет при VCB= 10 V, f = 1 MHz																															Коб					-			-		6					pF
Входен капацитет при VEB= 0,5 V, f = 1 MHz																															Cib					-			9		-					pF

●BC849 NPN Силициев епитаксиален транзистор с общо предназначение, свързани части

BC849 NPN силициев епитаксиален транзистор-топдиод с общо предназначение

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH