продукти

Нови продукти

Всички нови продукти

MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение

MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, 60V 0.6A 200mW SOT 323MMBT2222W / MMBT2222AW NPN силициев епитаксиален планарен транзистор със средна мощност за превключване и приложения за усилватели

Изпратете запитване Изтегляне на PDF

Описание на продукта
Спецификации
Изтегли

MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение - горен диод

MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение,60V 0.6A 200mW SOT 323

MMBT2222W / MMBT2222AW NPN силициев епитаксиален планарен транзистор със средна мощност за превключване и приложения за усилватели

●MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Въведение

Тези транзистори са предназначени за приложения на усилватели с общо предназначение. Те се помещават в пакета SOTâˆ’323/SCâˆ’70, който е предназначен за приложения за повърхностен монтаж с ниска мощност.

●Характеристики на епитаксиалния силициев транзистор MMBT2222W NPN с общо предназначение

* Нисък rDS(on) Осигурява по-висока ефективност и удължава живота на батерията

* Миниатюрен SC-70/SOT-323 пакет за повърхностен монтаж спестява място на дъската

* NPN епитаксиален силиций, планарен дизайн

* Напрежение колектор-емитер VCE=30V

* Колекторен ток IC=600mA

●MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение

*За приложения за превключване и усилватели

●MMBT2222W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Квалификацияï¼ŒДоставка, доставка и условия

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Обикновен диод

* Условия на работа, FCA или FOB

●MMBT2222W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Контури и външни размери

●MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначениеМАКСИМАЛНИ КОЛИЧЕСТВА И ЕЛЕКТРИЧЕСКИ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25°C)

Параметър	символ	Стойност		Мерна единица
		MMBT2222W	MMBT2222AW
Базово напрежение на колектора	VCBO	60	75	V
Колекторно емитерно напрежение	VCEO	30	40	V
Базово напрежение на емитера	VEBO	5	6	V
Колекторен ток	интегрална схема	600		mA
Общо разсейване на мощността	Ptot	200		mW
Температура на свързване	Tj	150		°C
Температурен диапазон на съхранение	Tstg	- 55 до + 150		°C

MMBT2222W / MMBT2222AW
Характеристики при Ta = 25 °C

Параметър		символ	Мин.	Макс.	Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 10V, IC= 0.1mA при VCE= 10 V, IC= 1mA при VCE= 10V, IC= 10mA при VCE= 1 V, IC= 150mA при VCE= 10V, IC= 150mA при VCE= 10 V, IC= 500mA	MMBT2222W MMBT2222AW	hFE	35 50 75 50 100 30 40	- - - - 300 - -	- - - - - - -
Базово напрежение на колектора при IC= 10 µA	MMBT2222W MMBT2222AW	VCBO	60 75	- -	V
Колекторно емитерно напрежение при IC= 10 mA	MMBT2222W MMBT2222AW	VCEO	30 40	- -	V
Базово напрежение на емитера при IE= 10 µA	MMBT2222W MMBT2222AW	VEBO	5 6	- -	V
Ток на прекъсване на базата на колектора при VCB = 50 V при VCB = 60 V	MMBT2222W MMBT2222AW	ICBO	- -	100 100	nA
Изключителен ток на базата на емитера при VEB= 3 V		IEBO	-	100	nA
Напрежение за насищане на емитера на колектора при IC= 150 mA, IB= 15 mA при IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222W MMBT2222AW MMBT2222W MMBT2222AW	VCE (сат)	- - - -	0.4 0.3 1.6 1	V
Напрежение за насищане на базовия емитер при IC= 150 mA, IB= 15 mA при IC= 500 mA, IB= 50 mA	MMBT2222W MMBT2222AW MMBT2222W MMBT2222AW	VBE (сат)	- 0.6 - -	1.3 1.2 2.6 2	V
Честота на прехода при VCE= 20 V, -IE= 20 mA, f = 100 MHz		fT	300	-	MHz
Изходен капацитет на колектора при VCB= 10 V, f = 100 KHz		Коб	-	8	pF
Входен капацитет на емитера при VEB= 0,5 V, f = 100 KHz		Cib	-	25	pF
Закъснение при VCC= 30 V, VBE(OFF)= 0,5 V, IC= 150 mA, IB1= 15 mA		td	-	10	ns
Време за нарастване при VCC= 30 V, VBE(OFF)= 0,5 V, IC= 150 mA, IB1= 15 mA		tr	-	25	ns
Време за съхранение при VCC= 30 V, IC= 150 mA, IB1= -IB2= 15 mA		tstg	-	225	ns
Есенно време при VCC= 30V, IC= 150 mA, IB1= -IB2= 15 mA		tf	-	60	ns

●MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, свързани части

MMBT2222W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение - TOPDIODE

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH

Горещи маркери: MMBT2222W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, производители, доставчици, купуване, фабрика, на склад, насипно състояние, безплатна проба, марки, Китай, произведени в Китай, цена, ценоразпис, оферта, REACH, ROHS, качество, издръжлив, напреднал

Продуктов етикет

Изпратете запитване

Моля, не се колебайте да изпратите вашето запитване във формата по-долу. Ще ви отговорим до 24 часа.