Китай MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, производители и доставчици

Описание на продукта
Спецификации
Изтегли

MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение - горен диод

MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, биполярни транзистори - BJT 600mA 60V NPN SOT-323

MMBT4401W NPN епитаксиален планарен транзистор със средна мощност за приложения за превключване и усилватели

●MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Въведение

Тези транзистори са предназначени за приложения на усилватели с общо предназначение. Те се помещават в пакета SOTâˆ’323/SCâˆ’70, който е предназначен за приложения за повърхностен монтаж с ниска мощност.

●Характеристики на епитаксиалния силициев транзистор MMBT4401WNPN с общо предназначение

* NPN епитаксиален силиций, планарен дизайн

* Напрежение колектор-емитер

* VCE = 40V

* Ток на колектора IC = 600mA

●MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение

* Усилвател и превключвател

●MMBT4401W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Квалификацияï¼ŒДоставка, доставка и условия

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Обикновен диод

* Условия на работа, FCA или FOB

●MMBT4401W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение Контури и външни размери

●MMBT4401W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение МАКСИМАЛНИ КОЛИЧЕСТВА И ЕЛЕКТРИЧЕСКИ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25 °C)

Параметър	символ	Стойност	Мерна единица
Базово напрежение на колектора	VCBO	60	V
Колекторно емитерно напрежение	VCEO	40	V
Базово напрежение на емитера	VEBO	6	V
Колекторен ток	интегрална схема	600	mA
Общо разсейване на мощността	Ptot	200	mW
Температура на свързване	TJ	150	°C
Температурен диапазон на съхранение	Tstg	- 55 до + 150	°C

Характеристики при Ta = 25 OC

Параметър	символ	Мин.	Макс.	Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 1 V, IC= 0,1 mA при VCE= 1 V, IC= 1 mA при VCE= 1 V, IC= 10 mA при VCE= 1 V, IC= 150 mA при VCE= 2 V, IC= 500 mA	hFE	20 40 80 100 40	- - - 300 -	- - - - -
Ток на прекъсване на колектора при VCB = 35 V	ICBO	-	0.1	µA
Базов ток на прекъсване при VEB= 5 V	IEBO	-	0.1	µA
Напрежение на пробив на колекторната база при IC= 0,1 mA	V(BR)CBO	60	-	V
Напрежение на пробив на колекторния емитер при IC= 1 mA	V(BR) главен изпълнителен директор	40	-	V
Напрежение на пробив на базата на емитера при IE = 0,1 mA	V(BR)EBO	5	-	V
Напрежение за насищане на емитера на колектора при IC= 150 mA, IB= 15 mA при IC= 500 mA, IB= 50 mA	VCEsat	- -	0.4 0.75	V
Напрежение за насищане на базовия емитер при IC= 150 mA, IB= 15 mA при IC= 500 mA, IB= 50 mA	VBEsat	- -	0.95 1.2	V
Продукт за пропускателна способност за усилване на текущото усилване при VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 100 MHz	fT	250	-	MHz
Базов капацитет на колектора при VCB= 5 V, IE= 0, f = 1 MHz	Централна кооперативна банка	-	8	pF

●MMBT4401W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, свързани части

MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение - горен диод

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH

Горещи маркери: MMBT4401W NPN Епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение, производители, доставчици, купуване, фабрика, на склад, насипно състояние, безплатна проба, марки, Китай, произведени в Китай, цена, ценоразпис, оферта, REACH, ROHS, качество, издръжлив, напреднал

Продуктов етикет

Изпратете запитване

Моля, не се колебайте да изпратите вашето запитване във формата по-долу. Ще ви отговорим до 24 часа.

продукти

Нови продукти

MMBT4401W NPN епитаксиален силициев транзистор с общо предназначение