продукти

Нови продукти

Всички нови продукти

MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор

MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор 1A 5V 150MHz SMD SOT-23 MMBT441A е силициев NPN транзистор в пакет за повърхностен монтаж тип SOTâˆ’23, предназначен за използване като среден усилвател и превключвател

Изпратете запитване Изтегляне на PDF

Описание на продукта
Спецификации
Изтегли

●MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор - горен диод

MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор 1A 5V 150MHz SMD SOT-23

MMBT441A е силициев NPN транзистор в пакет за повърхностен монтаж тип SOTˆ’23, предназначен за използване като среден усилвател и превключвател

●MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор Въведение

Това устройство е предназначено за използване като усилвател със средна мощност и превключвател, изискващи колекторни токове до 500 mA

●Характеристики на силициев епитаксиален планарен транзистор MMBT491A NPN

* С общо предназначение

* Три текущи групи за усилване

* Висока стабилност и висока надеждност

●Приложение на силициев епитаксиален планарен транзистор MMBT491A NPN

* MMBT491A обща употреба и подходящ за много различни приложения

●MMBT491A NPN Квалификация на силициев епитаксиален планарен транзисторï¼ŒДоставка, доставка и условия

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Обикновен диод

* Условия на работа, FCA или FOB

●MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор Очертания и външни размери

●MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор МАКСИМАЛНИ КОЛИЧЕСТВА И ЕЛЕКТРИЧЕСКИ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25 °C)

Параметър	символ	Стойност	Мерна единица
Базово напрежение на колектора	VCBO	40	V
Колекторно емитерно напрежение	VCEO	40	V
Базово напрежение на емитера	VEBO	5	V
Колекторен ток	интегрална схема	1	A
Пиков импулсен ток	ICM	2	A
Разсейване на мощността	Ptot	200	mW
Температура на свързване	TJ	150	°C
Температурен диапазон на съхранение	TSg	- 55 до + 150	°C

Характеристики при Ta = 25 OC

Параметър	символ	Мин.	Макс.	Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 5 V, IC= 1 mA при VCE= 5 V, IC= 500 mA при VCE= 5 V, IC= 1 A	hFE	300 300 200	- 900 -	- - -
Ток на прекъсване на базата на колектора при VCB = 30 V	ICBO	-	100	nA
Ток на изключване на колекторния емитер при VCE= 30 V	ICES	-	100	nA
Ток на прекъсване на базата на емитера при VEB= 4 V	IEBO	-	100	nA
Напрежение за насищане на емитера на колектора при IC= 500 mA, IB= 50 mA при IC= 1 A, IB= 100 mA	VCEsat	- -	0.3 0.5	V
Напрежение за насищане на базовия емитер при IC= 1 A, IB= 100 mA	VBEsat	-	1.2	V
Базово напрежение на емитера при IC= 1 A, VCE= 5 V	VBE	-	1.1	V
Изходен капацитет на колектора при VCB= 10 V, f = 1 MHz	Коб	-	10	pF
Продукт за усилване на честотната лента при VCE= 10 V, IC= 50 mA, f = 100 MHz	fT	150	-	MHz

●Части, свързани със силициев епитаксиален планарен транзистор MMBT491A NPN

MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор-горен диод

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH

Горещи маркери: MMBT491A NPN силициев епитаксиален планарен транзистор, производители, доставчици, купуване, фабрика, на склад, насипно състояние, безплатна проба, марки, Китай, произведени в Китай, цена, ценоразпис, оферта, REACH, ROHS, качество, издръжлив, напреднал