продукти

Нови продукти

MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор

MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор е SOT-23 пластмасов пакет. Има три терминала, които представляват база, емитер и колектор. За приложения за превключване и усилватели, особено подходящи за AF-драйвери и стъпала с ниска мощност. Транзисторът е подразделен на две групи C и D според неговото усилване на тока Dc

Изпратете запитване Изтегляне на PDF

Описание на продукта
Спецификации
Изтегли

●MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор -- Топдиод

MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор е SOT-23 пластмасов пакет. Има три терминала, които представляват база, емитер и колектор. За приложения за превключване и усилватели, особено подходящи за AF-драйвери и стъпала с ниска мощност. Транзисторът е подразделен на две групи C и D според неговото усилване на тока Dc

●MBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор Въведение

MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор за приложения за превключване и усилватели.

Като допълнителен тип се препоръчва PNP транзистор MMBT8550.

●Характеристики на силициев епитаксиален планарен транзистор MMBT8050 NPN

* NPN силициев епитаксиален планарен транзистор за приложения за превключване и усилватели

* Особено подходящ за AF-драйвери и нива с ниска мощност.

* SMD пластмасови опаковки

* Безплатно за MMBT8550

* Колекторен ток

●MMBT8050 NPN Приложения за силициев епитаксиален планарен транзистор

* за приложения за превключване и усилватели

●MBT8050 NPN транзистор Квалификация, време за доставка, условия за доставка.

* Съвместим с RoHS

* Съвместим с REACH

* Франко завода, FCA или FOB

* наличен редовен склад

●MMBT8050 NPN Силициев епитаксиален планарен транзистор Очертания и външни размери

●MMBT8050 NPN Силициев епитаксиален планарен транзистор ЕЛЕКТРИЧЕСКИ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Абсолютни максимални оценки (Ta = 25 °C)

Параметър	символ	Стойност	Мерна единица
Базово напрежение на колектора	Vcbo	40	V
Колекторно емитерно напрежение	Vceo	25	V
Базово напрежение на емитера	Вебо	6	V
Колекторен ток	lc	600	mA
Разсейване на мощността	P общо	350	mW
Температура на свързване	Tj	150	°C
Температурен диапазон на съхранение	Tstg	-55 до +150	°C

Характеристики при Ta = 25 °C

Параметър	символ	Мин.	Тип.	Макс.	Мерна единица
Постоянен ток усилване при VCE= 1 V, lc= 100 mA MMBT8050C MMBT8050D при VCE= 1 V, lc=500 mA	hFE hFE hFE	100 160 40	-	250 400 -	-
Ток на прекъсване на базата на колектора при Vcb=35 V	IcBO	-	-	100	nA
Напрежение на пробив на колекторната база при lc= 10UA	V(BR)CBO	40	-	-	V
Напрежение на пробив на колекторния емитер при lc= 2 mA	V(BR)CBO	25	-	-	V
Напрежение на пробив на базата на емитера при lE=100 mA	V(BR)CBO	6	-	-	V
Напрежение за насищане на емитера на колектора при lc= 500 mA, lB= 50 mA	VCE (сат)	-	-	0.5	V
Напрежение за насищане на базовия емитер при lc = 500 mA, lB= 50 mA	VBE (сат)	-	-	1.2	V
Продукт за усилване на честотната лента при VCe = 5 V, lc = 10 mA	fT	-	100	-	MHz

●MMBT8050 NPN Силициеви епитаксиални планарни транзисторни транзистори Свързани части

MMBT8050 NPN Силициеви епитаксиални планарни транзисторни транзистори-горен диод

Съвместим с RoHS

Съвместим с REACH

Горещи маркери: MMBT8050 NPN силициев епитаксиален планарен транзистор, производители, доставчици, купуване, фабрика, в наличност, в насипно състояние, безплатна проба, марки, Китай, произведени в Китай, цена, ценова листа, оферта, REACH, ROHS, качество, издръжлив, усъвършенстван